Especificaciones Técnicas Principales.
- Capacidad: 1 TB (1000 GB).
- Interfaz: PCIe Gen3 x4 NVMe v1.3.
- Factor de Forma: M.2 2280.
- Rendimiento de Lectura: Hasta 2,400 MB/s.
- Rendimiento de Escritura: Hasta 1,850 MB/s.
- Resistencia (TBW): 100 Terabytes escritos.
- Tecnología NAND: QLC (Quad-Level Cell) para el modelo de 1TB.
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